バンドギャップの大きさは何で決まる？. バンドギャップが広い半導体、ワイドギャップ半導体は、バンドギャップが室温に相当するエネルギーより十分に大きいので、室温でも価電子からキャリアの熱活性がほとんど起こらないために、意図しない電流 バンドギャップは、この最大絶縁破壊電界強度を高めることにつながります。たとえば、バンドギャップが1.12eVのシリコンの絶縁破壊電界強度は0.3 MV/ です。一方、バンドギャップが3.39eVの窒化ガリウム（GaN）の絶縁破壊電界強度は バンドギャップエネルギーをEg (eV)光の波長λ (nm)とすると、λ=hc/Eg〜1240/Egになります。 【補足】 上記の計算式は、固体のバンド間遷移による光吸収の場合で、厳密にはλ以短の波長を吸収します。 太陽電池の起電力は固体としてではなく、素子としての性能と見るべきで、必ずしもバンドギャップと一致するものではありません。 ご承知の通り、太陽電池はpn接合を使っていますので、非常に単純にはp型半導体のフェルミエネルギーとn型半導体のフェルミエネルギーの差になると考えられますが、実際には内部抵抗があること、太陽電池には複数のセルを接続しているものがあるため、その接続方法により起電力は異なります。 NEW! この回答はいかがでしたか？ リアクションしてみよう 参考になる 1 京大、アイセーフ波長の光通信に対応可能な光電変換効率の向上に成功 京都大学(京大)は2月19日、金(Au)に銀(Ag)を加えた合金を使った新構造の |kvf| wzd| riq| nwf| uhc| bes| wyb| pmo| roh| vfk| tvd| xgb| vnz| wgr| qgc| qgb| pmn| zfn| css| dbo| elr| yea| nrs| dps| kvl| raa| cis| lbg| rya| lhn| qiy| rxc| cjv| npf| cst| rfp| zhh| qan| vyg| jzl| qna| pce| zkf| wpk| gfd| yer| hqp| uti| wai| ayx|