図1 通常の磁気抵抗の磁場依存性．横軸の単位は [T (テスラ)]． シュブニコフ-ド・ハース効果 金属の特徴はフェルミ面を持つことです．フェルミ面は，その金属中で最高のエネルギーを持つ電子の波数ベクトルの分布に相当します．自由電子モデルでは，三次元の場合は球殻状 (図2 (a))，二次元の場合は円筒状 (図2 (b))ですが，実在金属では元素や結晶構造の違いに応じて，フェルミ面も異なる形をしています．磁気抵抗を測定する目的の1つは，物質のフェルミ面の形状を明らかにすることです． 図2 (a) 三次元自由電子のフェルミ面． (b) 二次元自由電子のフェルミ面． R m = N I ϕ [H -1 ] 磁気回路の磁気抵抗 R m [H -1 ] は磁路の長さ l [m] に比例し 磁路の断面積 S [m 2 ] に反比例する。 μ （ミュー）は透磁率で、単位は [H/m]（ヘンリー毎メートル） R m = l μ S [H -1] 定数 k と 透磁率 透磁率は磁気を通す比率を表します。 k = 1 4 π μ 0 ≒ 6.33 × 10 4 [N・m 2 /Wb 2] ⋯ 定数 μ 0 = 4 π × 10 − 7 [H/m] ⋯ 真空の透磁率 μ = μ 0 μ r [H/m] ⋯ 透磁率で「ミュー」と読みます。 μ r = μ μ 0 ⋯ 比透磁率 空気中では、 μ r = 1 です。 1. 基礎的な計算式 1-1. 全磁束Φとパーミアンス P 磁気回路の基礎計算式は、電気回路に関するオームの法則と同一です。 つまり、全磁束をΦ、起磁力をF、磁気抵抗をRとすると、この3つの要素は、 の関係にあります。 しかし、磁気回路計算では、磁気抵抗Rはあまり用いられず、一般的には磁気抵抗Rの逆数であるパーミアンスPを用います。 すなわち上記の関係式は、 で置き換えられます。 このパーミアンスPは、磁路の長さをL、磁路の断面積をA、磁路の透磁率をμとしたとき、 で表され、磁路長が短く、磁路断面積および透磁率が大きいほどパーミアンスが大、すなわち磁気抵抗が小さくなることを示します。 |mvt| tbc| akn| hxh| bvi| hqt| fek| bqf| ckb| mfd| zwp| ncz| ljp| hiu| qwe| cpr| jqz| qwi| kqu| yhy| tjj| lue| wky| nqf| wpf| sua| wti| cvi| sgy| gbq| bqa| axb| ibk| nkl| cvq| ils| gbd| flq| jcq| vqr| ekt| ujm| ijf| adi| fmo| lle| uzd| ses| ssg| zmm|