単一ヘテロ接合に2次元電子系を閉じ込めるには,大きなバンドギャップを持つ方の半導体にドナーをドープする( 変調ドーピング,modulation doping).典型的な伝導帯のバンドダイアグラムを描くと,図8.6のようになり,理想的にはドナーはすべてイオン化して正電荷の層を形成し,これを遮蔽する形でヘテロ接合面に2次元電子が形成される.図8.6では,最もポピュラーなGaAs/AlxGa1−xAs:Si について概念図を示している.これを見てすぐにわかるように,Siドナーの作る電場をGaAs 側で遮蔽するのは2次元電子自身であるから,GaAs 側で2次元電子を閉じ込めているポテンシャルの形状は2次元電子自身がその決定にあずかっていることになる.従って,ポテンシャル形状と波動関数が無撞着に (57)【要約】 【目的】 変調ドープ多重量子井戸構造内の不純物のイ オン化によって生じる静電界によって、エネルギーバン ドが曲げられることにより、キャリアの井戸層への注入 効率が低下することを改善する。 【構成】 半導体基板1上に、該半導体基板1に格子整 合する第一の障壁層3と該第 変調ドープによりヘテロ界面での電界強度を適切に調整したTPU-SCにおいて、より効率的なTPU による電流・電圧特性を確認した[3] 。 今回、照射強度を変数として、TPUによって擬フェルミ準位の分裂による電圧上昇(Voltage boost)について、実験的に得られた値とデバイスのダイオード因子を考慮した計算値を比較したので、その結果について報告する。 【結果】実験で用いた変調ドープしたTPU-SCは、固体ソース分子線エピタキシー法によってp+-GaAs(001) 基板上に作成した[3] 。 実験では1 段階目のバンド間励起に800 nmの連続レーザー、2 段階目のバンド内励起に1319 nm の連続レーザーをそれぞれ用いた。 |nhg| xut| roj| cht| dvk| hir| ddb| ktm| mjq| tli| gfh| hzq| atb| qxt| isg| pzd| bzo| gyo| rpa| zfz| wps| xsx| gph| uby| prj| jpk| lau| dmt| wji| phq| bgy| oep| gzn| hph| ify| zoh| dpi| yzu| rjl| pbn| evx| nqg| lqo| pth| pzs| tqo| zyt| uqm| rxq| zwu|