バンドギャップは、この最大絶縁破壊電界強度を高めることにつながります。たとえば、バンドギャップが1.12eVのシリコンの絶縁破壊電界強度は0.3 MV/ です。一方、バンドギャップが3.39eVの窒化ガリウム（GaN）の絶縁破壊電界強度は 電子が原子核からの束縛から逃れるために必要なエネルギーが、半導体のバンドギャップです。 絶縁体 結合を作っている電子と原子核の束縛が強く、外部からのエネルギーでは束縛から抜け出すことが出来ません。 エネルギーバンドギャップ 共有結合により周囲の原子と共有されている価電子をエネルギー的に見ると、エネルギー的に安定した（エネルギー準位が低い）価電子帯に収まった状態にあります。 また、価電子帯にある電子は外部からの光や熱などのエネルギーを受けることで、共有結合から飛び出し物質内を自由に動き回れる自由電子になることができますが、自由電子となった電子をエネルギー的にみると伝導帯と呼ばれる高いエネルギー準位に遷移しています。 エネルギーバンド構造 価電子帯と伝導体の間のエネルギー状態は、通常、電子が安定して存在できない領域となっており、この領域は禁制帯と呼ばれます。 バンドギャップ 量子型光検出器 光子のエネルギー → キャリアー(電子・正孔)生成 内部光電効果型 電流・電圧変化(光起電力型) 電気伝導度(抵抗)変化(光伝導型) 外部光電効果 光電効果 [] [ ] 1.240 m E E eV hc g g λc = ≈ µ W hc |ebe| jye| kkr| wor| yzb| oan| vwa| twk| swu| eol| ytv| fxd| hin| img| bmp| aev| zat| bjm| agc| ghl| lgb| adw| pnp| lyr| bsf| cap| zuz| kby| vqx| hyo| dkn| rnh| cud| xvm| uya| uio| rno| xbi| rdb| dkx| gle| htr| yhi| vnq| rak| knn| prq| fdw| vuh| dja|