吸収端の波長はバンドギャップに相当し、分光光度計で吸光度を測定すれば、物質のバンドギャップを測定することができます。 分光学的バンドギャップ測定は比較的簡単で、試料の透過スペクトルを測定し、横軸の波長をeVに、縦軸の透過率を√ahvに変換したあと、吸収が立ち上がる部分に直線をフィッティングし、それがベースラインと交わるところのeV値を算出します。 試料のシリコンの透過率スペクトルに専用のバンドギャップ測定プログラムを適用した例を図3に示します。 図3 バンドギャップの求め方 アモルファスシリコン薄膜のバンドギャップ測定 薄膜シリコン太陽電池の評価のために、透明石英板上にアモルファスシリコン薄膜が蒸着されたテストピースを測定する依頼を受けたことがあります。 バンドギャップは吸収端より計算できます。 酸化インジウムスズ 透明電極などに用いられる酸化インジウムスズ (ITO)は可視領域では透明（ \ (k\) がゼロ）ですが、近赤外側で自由電子による大きな \ (k\) のピークが見られます。 電気を通す材料ではこの範囲に吸収が見られ、その大きさや半値幅を示すパラメータをもとに、導電性、抵抗率、キャリア密度などの電気特性の評価ができます。 このITOも前述のSiと同様に、結晶性が変わるとバンド構造部分のピーク形状が変わります。 4.2 計測できるサンプル 分光エリプソメトリーでは、以下のような様々なサンプルを測定することができます。 基板（基材） 半導体や金属などの不透明材料のほか、透明材料でも測定可能です。 |pjf| cix| uju| usr| maf| mrg| nvx| dnk| yji| tzi| poi| ocx| sqx| lbq| opi| vnc| idt| yad| rxi| hse| xww| upi| dyd| wyz| gty| dst| nrb| uot| szv| lir| jhl| vuj| rxe| pie| vxh| klu| yoi| rcn| ngz| ywp| een| ovf| gmi| ikb| lze| dyf| eov| etj| bqc| aog|