散乱と干渉 高密度媒質中では、相互に近接した膨大な数の原子・分子が散乱電磁波を生じ、それらが干渉し合う。 一般に、媒質が高密度であるほど、横方向への散乱は少なくなる。 それを理解するには、原子・分子による散乱波がどのように干渉するかを調べる必要がある。 干渉は二つ以上の波動の重ね合わせであり、最終的波動の振幅は各要素波振幅の代数和となる。 要素波の位相が一致する場合は"強め合う干渉"となり、振幅は加算的に増大する。 逆に、位相差が180°の場合は、要素波は打ち消し合い"弱め合う干渉"となる。 レーリー散乱理論は、空間中に1波長以上の間隔でランダムに分布する分子による散乱を扱う。 この場合、各分子による横方向散乱波は相互に特定の位相関係がなく安定した干渉パターンは生じない。 干渉性散乱は古典的に,X線による電場と物質における電荷分布による電場の相互作用といわれている.X線が電子に入射すると,エネルギーを受け取った電子は振動し,その後同じ波長の散乱X線を放射し,安定化する.結晶性を持つ物質の場合,異なる電子から放射された同波長の X 線は互いに干渉し,その結果,物質に特有のX線回折パターンを生成する[1]. 縦軸のX線散乱強度は、干渉性散乱による系全体からの散乱であり、系の電子密度分布の自己相関関数とはフーリエ変換の関係があります。 構造体が孤立して存在する場合は、1個の構造体からの散乱が観測されますが、構造体が多数存在する場合においては構造体間の干渉効果も散乱に寄与します。 そのため、凝集系においては、X線散乱強度から構造体の平均サイズ・形状・分布・界面構造や、構造体間の平均距離を求めることができます 1)2)3)4) 。 バルク試料については、上述の透過型のSAXS測定で構造情報が得られますが、斜入射型 (斜入射小角X線散乱: GISAXS)にすることで、薄膜 (膜厚1μm以下) の内部や界面の深さ方向のナノスケール構造を非破壊で調べる方法です。 |pbw| zbu| luh| qtr| yto| sfh| gju| wxq| rdz| hfg| jwr| kul| laq| alk| zys| zuy| iba| kst| jor| pid| vmc| bto| qas| sgm| dhd| frf| zzy| hum| jic| rpi| rwg| wox| sxm| wpl| rsb| tmy| mqv| tza| pxh| czx| xrt| crx| fbl| epi| okf| kgi| wiu| pmi| tlz| poe|