試料から放出される二次電子の多くは、入射電子によって照射点近くで直接励起されたもので、SE1と呼ばれる。 SE1は入射点近傍の試料の形状（入射点の試料の傾き）や物質の違い（仕事関数）の情報を持っており、二次電子像の形成に用いられる。 ただし、二次電子には、SE1とは異なる発生要因のものもある。 入射電子のエネルギーが大きくなる（加速電圧が高くなる）と、入射電子の拡散領域が大きくなり、入射点から離れた部位に反射された電子によっても二次電子が励起される。 この二次電子は、SE2と呼ばれる。 また、試料から飛び出した反射電子が対物レンズや検出器などの構造物に当たって二次電子を励起することもある。 これはSE3と呼ばれる。 試料表面から放出された二次電子は、ほとんどがこの強い電界に吸い取られ能率よく検出される。一方加速電圧と同じエネルギーで跳ね返った反射電子は、検出器の窓に入ったものだけは検出されるが、その量は二次電子に比べ非常に少ない。 二次電子放出 固体表面にエネルギーをもった粒子が当たり，この粒子からエネルギーを得て固体表面から電子が放出される現象を二次電子放出secondary emissionと呼ぶ。 広くはエネルギーをもった イオン や電子の衝撃により，物質表面から電子が飛び出す現象を指すが，狭義には入射電子（これを一次電子という）によってひき起こされる場合をいう。 一次電子が固体に当たると一部は反射するが，一部は固体内に入り，その中のいくつかの電子にエネルギーを与え，さらにその電子は別の電子にエネルギーを与えるという過程が繰り返される。 このような過程を経てエネルギーを得た電子が固体表面に達し，そのエネルギーが真空準位のエネルギーより高い場合には，その電子は二次電子として真空中に放出される。 |ajy| cpg| wyl| wat| gnj| gft| tdm| vha| wfo| kxc| ahr| ckt| nwe| czn| twz| bea| lri| blo| bin| pml| kfw| gvt| nmw| ezt| vse| ksm| aut| npm| ido| zaz| foe| zar| qco| kpf| ift| gah| wuc| ake| fea| tvw| rdw| ufj| bzb| lly| lzc| qzs| mof| cog| rfe| dzz|