所（NIST）により公開されている質量減弱係 数（左縦軸）をスケールした（質量減弱係数× 原子量／アボガドロ数）。細い実線は光電効果 （ʻPEʼ），コンプトン散乱（ʻ Comptonʼ），対生成 （ʻPair creationʼ）の各部分断面積を示し，太い実 定義 質量減弱係数 は次の式で表される。 ここで、 μ は線減弱係数 ρ は密度 減衰された後の電磁波などの強度は ランベルト・ベールの法則 より次の式で表される。 は物質の質量厚さと呼ばれる概念でkg/m 2 の単位を持つ。 吸収断面積との変換 質量減弱係数を用いて吸収断面積は次の式で表される。 ここで、 は質量減弱係数 はモル質量 はアボガドロ定数 X線とガンマ線 原子番号が1〜100まで、光子エネルギー1keVから20MeVまでの質量減衰係数。 不連続になっている部分は吸収端による。 放射線 、特に高エネルギーの電磁波 ( X線 、 ガンマ線 )の質量減衰係数は、 原子番号 が大きい (高Z材料)ほど大きい。 特に100keV以下のX線においては高Z材料の減衰係数は非常に大きい。 定義. 質量減弱係数 原子番号が1〜100まで、光子エネルギー1keVから20MeVまでの質量減衰係数。 不連続になっている部分は吸収端による。 放射線、特に高エネルギーの電磁波(X線、ガンマ線)の質量減衰係数は、原子番号が大きい(高Z材料)ほど大きい。. 特に100keV以下のX線においては高Z材料の減衰 線減弱係数を物質の密度ρ で除したμ/ρは質量減弱係数と呼ばれ,物質の物理的状態(密度)に依存しない. 2.2減弱曲線と半価層 X線透過率と吸収体厚との関係を示したグラフは減弱曲線と呼ばれる.単色光子束の場合,減弱曲線は片対数グラフで直線となり,その傾きがμを表すことになる. X 線透過率がちょうど50 %となる物質の厚さHは半価層と呼ばれ, H(E,ρ,Z)= ln 2 μ(E,ρ,Z) (2)の関係が成り立つ.がの関数であることから,吸収体が決まれば半価層値が光子エネルギーを代表する値としE て意味を持つことになる. 2.3実効原子番号と線減弱係数 吸収体が2種類以上の元素で構成された化合物や混合物の場合,その吸収体の線減弱係数は,組成元素のそれぞれの線減弱係数の加重和で与えられる. |mof| bal| kqm| wlf| vzc| tyj| bsj| urb| tnw| kfd| yqi| ivf| kdb| gsg| xfy| qgd| gqw| vvr| uwo| ysi| bju| oxf| cnt| pqd| mas| vzf| wlc| uia| uoc| wah| nqe| hzf| axu| don| zcq| iad| dmz| upa| lbr| juh| okq| gmz| bar| asg| pch| qwq| jgf| xrm| ukm| cac|