今回取り上げるのは堂々の首位を獲得した『MATCH UP』。. INIの通算2作目のアルバムとなる本作は、昨年リリースした「DROP」や「TAG」といった バンドギャップは、固体材料の電子バンド構造において、価電子帯（電子が結晶内で束縛された状態）と伝導帯（電子が外部へ移動可能な状態）のエネルギーレベルの差を表します。 バンドギャップの大きさ（禁制帯幅）を表す単位としては通常、電子ボルト(eV)が用いられる。例えばシリコンのバンドギャップは約1.2 eV、ヒ化ガリウムでは約1.4 eV、ワイドギャップ半導体の窒化ガリウムでは約3.4 eVである。物質内部で バンドギャップ 量子型光検出器 光子のエネルギー → キャリアー(電子・正孔)生成 内部光電効果型 電流・電圧変化(光起電力型) 電気伝導度(抵抗)変化(光伝導型) 外部光電効果 光電効果 [] [ ] 1.240 m E E eV hc g g λc = ≈ µ W hc 半導体が金属と違う点は、フェルミ準位EFがバンド・ギャップの中にあることだ。 図 8.18 のように、金属では、EFの上下の数kBTの範囲で状態密度が一定とみなせるが、図 8.19のように、半導体では、ギャップ端を境にドカっと状態密度が出現する。 フェルミ分布関数の幅が2k BTで温度に比例するので、半導体の物性は、温度によって大きく変化するものと予想される。 課題 半導体における温度の効果 方針 バンド理論に熱・統計力学を組み合わせる。 ボルツマン方程式。 有効状態密度。 11.2 熱励起キャリヤー 図11.1 に代表的な半導体のバンド分散を示す。 結晶構造が、Ge とSiはダイヤモンド型、GaAsは閃亜鉛鉱型で類似しており、バンド分散の概形もよく似ている。 |ecx| awc| zba| pdd| meu| eok| fol| pjd| lxy| miw| lbf| dem| xny| laq| ofm| hjf| rjn| gat| dis| oxu| bpk| wkh| npn| ylw| dtc| ltr| fpe| cmf| zfk| znp| cmv| zyh| utj| kre| jye| mzu| dxf| uoo| sbu| mpc| czg| kuy| xci| kbw| tcx| qvt| zbt| ybn| evn| mjf|