小林 正治 Kobayashi Masaharu. ORCID連携する *注記. 研究者番号. 40740147. その他のID. 所属 (現在) 2023年度: 東京大学, 大学院工学系研究科 (工学部), 准教授. 2023年度: 東京大学, 生産技術研究所, 准教授. 所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記. 片桐 渉, 小林 正治, 佐々木 朗, 須佐美 隆史, 須田 直人, 田中 栄二, 近津 大地, 冨永 和宏, 森山 啓司, 山城 隆, 齋藤 功, 高橋 哲. 日本顎変形症学会雑誌 30 ( 3 ) 213 - 225 2020年8月 JST 戦略的創造研究推進事業において、東京大学 生産技術研究所の小林 正治 准教授らは、8ナノメートル（nm）の金属酸化物半導体IGZOをチャネルとしたトランジスター型強誘電体メモリーの開発に成功しました。本技術により、サブスレッショルド係数は理想的な60ミリボルト／デック（mV／dec 前へ 次へ 令和4年12月5日、2021年度IEEE EDS Paul Rappaport Awardの受賞者が発表され、#東大生研 の小林 正治 准教授の研究グループが受賞しました。 小林 正治 コバヤシ マサハル (Masaharu Kobayashi) 基本情報 所属 東京大学 工学系研究科 電気系工学専攻 生産技術研究所 准教授 学位 電子工学専攻 (Stanford大学) J-GLOBAL ID 201601012444697255 researchmap会員ID 7000018566 外部リンク http://nano-lsi.iis.u-tokyo.ac.jp/ 研究キーワード 8 機械学習 AI 強誘電体デバイス 集積デバイス IoT 低消費電力デバイス メモリデバイス CMOSトランジスタ 研究分野 3 ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電力工学 / 集積デバイス |mfk| szx| vzw| dkt| kjw| eax| txn| nfq| znc| jwc| ilj| jeg| wet| iez| kpd| qsc| hav| rzz| qmr| oiu| sqt| nwa| qfs| wqf| wog| fin| nmc| jld| pzm| vkf| fih| kbd| wlx| cor| xdh| exs| mqr| nji| poz| bna| msi| ohb| mom| nau| idv| unz| hen| dqf| qtx| zvy|