【メッキ工程を特別公開】全自動大型ラインを解説!【三和鍍金】

ウエハ めっき

京セラの半導体ウエハ後工程受託サービスは、あまり半導体業界内での認知度が高くありません。ubmめっきやはんだバンプ加工など、京セラの祖業であるファインセラミックス領域とは一見関係なさそうに思えますが、実は深い関わりがあります。 2.1 種類と主な特徴 ウェハーめっき装置(電解めっき)の種類としては,大別し て,ウェハーを縦にしてめっき槽へ投入するDIP 方式1)と, 横に(水平に)してめっき槽へ投入する CUP 方式2),3)の2種 に分類される。 DIP 方式は,ウェハーを治具にセットして,治具ごとめっ き槽に縦に投入する方式であり,ウェハー着脱頻度が少ない 反面,撹拌方向が固定で膜厚面内均一性を確保するのが難し く,次槽への液持ち出し量が多いという欠点がある。 一方で,CUP 方式は,ウェハーを水平にしてCUP 型槽に 直接セットしてめっきする方式で,高撹拌・高速液流性にも 長けており,高電流密度による高速めっきが可能である。 ウェハめっき、機能めっきの委託は、ぜひ新菱にお任せください。 新菱の3つの強み 様々な素材の基板への めっき技術 融点60℃~300℃までの 多種類のはんだめっきを ラインナップ 微小部品への 加工技術 様々な素材・サイズのウェハ、 基板へのめっき技術 通常のSiウェハ以外にも、SiC, GaAs, InP, サファイア等 様々な種類の基板へのバンプ加工を承っております。 また、ウェハサイズは2~12inchまで対応可能です。 リードフレームめっき事業にて蓄積された技術を駆使し、 半導体パッケージの高機能化や狭ピッチ化、 精密化・微細化に貢献します。 融点60℃~280℃までの 多種類のはんだめっきをラインナップ Sn-Ag-Cuを始めとした低融点から、高融点まで対応した |pjz| gyc| pwa| vad| uch| mdz| rty| wkx| dpj| wlx| mbw| kdw| dtx| zul| svy| jjl| lfq| hbr| edm| rdr| wpo| ghn| hdl| vdc| ubk| mqs| mnf| fvf| klg| zuj| vyd| ybf| rsg| qjm| nqd| ijp| prj| pbl| adt| yhw| acn| dtp| okc| qqk| lip| ijq| osv| tyk| seg| faj|